FIBによるパターン描画

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MEMSプロセス  センサー  金属、セラミックス、ガラス  試作品作成  試料作成  集束イオンビーム装置(FIB)加工  集束イオンビーム装置(FIB)分析  電子部品、ウェーハ  半導体  半導体プロセス 

鈴木 誠

B!
目的 FIB装置によるマスクレスでのパターン描画を行う
手法 集束イオンビーム加工
結果 ・エッチングによるパターン描画では、1ドットあたり0.1μm程度の大きさで描画が可能
 (加工を行う材質、加工条件により最小サイズは変化)
・マスクレスでイオン注入を行うことが可能
・デポジションによるパターン描画も可能

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