STEM/EDSによる半導体絶縁膜評価

カテゴリ
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タグ
半導体  金属、セラミックス、ガラス  電子部品、ウェーハ  センサー  半導体プロセス  接合接着  組成分布 

鈴木 誠

B!
目的 半導体のPoly-Siおよび絶縁膜の評価を行う
手法 透過電子顕微鏡(STEM/EDS)
手法の特徴 ・半導体デバイスでの指定部位観察が可能
・STEM-EDSにより高倍率観察・高分解能分析が可能
結果 ・STEM観察によりPoly-Siおよび絶縁膜の形状に異常が無いことが確認できた
・EDS分析によりPoly-Si間の絶縁膜(Si酸化膜-Si窒化膜-Si酸化膜)の層構造も問題ないことが確認できた
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分析事例

STEMおよびEDSによる半導体絶縁膜の評価(断面観察と分析)

■半導体Poly-Si間の絶縁膜分析

STEM像

窒素の分布像

シリコンの分布像

酸素の分布像

■解析結果

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