STEM/EDSによる半導体絶縁膜評価

カテゴリ
半導体  エレクトロニクス  自動車・航空機・宇宙  形態観察  断面分析  元素･組成分析  分析事例 
タグ
センサー  金属、セラミックス、ガラス  接合接着  組成分布  電子部品、ウェーハ  半導体  半導体プロセス 

鈴木 誠

B!
目的 半導体のPoly-Siおよび絶縁膜の評価を行う
手法 透過電子顕微鏡(STEM/EDS）
手法の特徴 ・半導体デバイスでの指定部位観察が可能
・STEM-EDSにより高倍率観察・高分解能分析が可能
結果 ・STEM観察によりPoly-Siおよび絶縁膜の形状に異常が無いことが確認できた
・EDS分析によりPoly-Si間の絶縁膜(Si酸化膜-Si窒化膜-Si酸化膜)の層構造も問題ないことが確認できた
詳細PDFをダウンロード

分析事例

STEMおよびEDSによる半導体絶縁膜の評価(断面観察と分析)

■半導体Poly-Si間の絶縁膜分析

STEM像

窒素の分布像

シリコンの分布像

酸素の分布像

■解析結果

本事例の資料は上部『詳細PDFのダウンロード』ボタンでダウンロード可能です

受託分析・微細加工(FIB加工)のご依頼について

技術課題に対して現象把握～原因推定をお客様と一緒に考え、科学的な視点で調査することにより、原因究明や対策立案をサポートします。お気軽にご相談ください。

受託分析と微細加工(FIB加工)へのお問い合わせはこちら

関連記事

XRF-薄膜FP法による膜厚測定

背景 蛍光X線分析（XRF）による非破壊での膜厚測定法は広く知られていますが、分析対象試料と標準試料...

赤外顕微鏡(FT-IR装置)によるシリコン膜厚測定

目的 シリコン薄膜の膜厚測定 手法 赤外顕微鏡によるピンポイントでの反射測定、および膜厚換算 結果 ...