FIBによるナノレベル高精度加工

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鈴木 誠

B!
目的 集束イオンビームのエッチング機能を用いてマスクレスでSi基板にナノレベルの高さ制御加工を実施
手法 集束イオンビーム加工
結果 ・円形：φ5μm
・ピラーの高さ：700nm/650nm/600nm
・ピラーの径：φ500nm

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分析事例

集束イオンビーム(FIB)によるナノレベル高精度加工

●目的：Si基板にマスクレスで高さをナノレベルで制御した加工を行います
●手法：FIBによるエッチング加工
●仕様：
・円形：φ5μm
・ピラーの高さ：700nm/650nm/600nm
・ピラーの径：φ500nm

■FIBによるSi基板へのナノレベル加工

50nmステップ毎のピラー作製が可能です

FIBによる加工結果

■観察および解析結果

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