EBSDを用いたアルミスパッタ膜の評価

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半導体  電子部品、ウェーハ  センサー  半導体プロセス  腐食防食  結晶構造 

鈴木 誠

B!
目的 アルミスパッタ膜の配向を評価する
手法 ・走査電子顕微鏡(SEM)
・電子線後方散乱回折法(EBSD)
結果 下地材料の違いがアルミスパッタ膜の配向に強く影響していることが判明
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