FIBによる半導体の断面作製

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FIBによる半導体(微小対象物)の断面作製

• 目的：半導体などの微小対象物の任意箇所に断面を作製
• 手法：FIBによる断面観察
• 結果：直径200nmの対象物の中央に断面作製が可能

■ICコンタクト部の断面作製・断面観察

■結果および考察

• 弊社保有のFIB 装置では100nm程度の対象物であれば狙って断面を作製することが可能です 
• 半導体の微細なボイドや異物など不良の観察が可能となります。
• この技術を用いて正確な位置でのTEM観察用薄片試料の作製が行えます

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