FIBによる半導体の断面作製

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MEMSプロセス  センサー  異物・不純物  金属、セラミックス、ガラス  集束イオンビーム装置(FIB)加工  集束イオンビーム装置(FIB)分析  電子部品、ウェーハ  半導体  半導体プロセス 

鈴木 誠

B!
目的 半導体などの微小対象物の任意箇所に断面を作製 
手法 FIBによる断面作製
結果 直径200nmの対象物の中央に断面作製が可能

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FIBによる半導体(微小対象物)の断面作製

■ICコンタクト部の断面作製・断面観察

                断面観察結果

■結果および考察

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