赤外顕微鏡(FT-IR装置)によるシリコン膜厚測定

カテゴリ
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タグ
膜厚  半導体  電子部品、ウェーハ  センサー  MEMSプロセス  半導体プロセス 

鈴木 誠

B!
目的 シリコン薄膜の膜厚測定
手法 赤外顕微鏡によるピンポイントでの反射測定、および膜厚換算
結果 非破壊でシリコン薄膜の厚みを測定、断面観察結果と同等の結果を獲得

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分析事例

赤外顕微鏡(FT-IR装置)によるシリコン膜厚測定


■原理

基板表面(上面)並びに裏面(下面)から反射して得られた2つの光線の干渉波ピーク間隔から薄膜の厚みを求めます。

 図1．薄膜試料の断面イメージ


■測定

赤外顕微鏡の反射測定により干渉波形を測定し、膜厚を算出しました。
また、断面SEM観察法により同サンプルのシリコン膜厚比較を行いました。


図2．赤外光の反射スペクトル

図3．断面SEM観察像

表1．赤外顕微鏡測定と断面SEM観察による膜厚の比較(μm)


■まとめ


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