赤外顕微鏡(FT-IR装置)によるシリコン膜厚測定

カテゴリ
半導体  エレクトロニクス  材料・素材  表面分析  構造解析  分析事例 
タグ
MEMSプロセス  センサー  電子部品、ウェーハ  半導体  半導体プロセス  膜厚 

鈴木 誠

B!
目的 シリコン薄膜の膜厚測定
手法 赤外顕微鏡によるピンポイントでの反射測定、および膜厚換算
結果 非破壊でシリコン薄膜の厚みを測定、断面観察結果と同等の結果を獲得

詳細PDFをダウンロード

分析事例

赤外顕微鏡(FT-IR装置)によるシリコン膜厚測定


■原理

基板表面(上面)並びに裏面(下面)から反射して得られた2つの光線の干渉波ピーク間隔から薄膜の厚みを求めます。

 図1．薄膜試料の断面イメージ


■測定

赤外顕微鏡の反射測定により干渉波形を測定し、膜厚を算出しました。
また、断面SEM観察法により同サンプルのシリコン膜厚比較を行いました。


図2．赤外光の反射スペクトル

図3．断面SEM観察像

表1．赤外顕微鏡測定と断面SEM観察による膜厚の比較(μm)


■まとめ


本事例の資料は上部『詳細PDFをダウンロード』ボタンでダウンロード可能です

受託分析・微細加工(FIB加工)のご依頼について

技術課題に対して現象把握～原因推定をお客様と一緒に考え、科学的な視点で調査することにより、原因究明や対策立案をサポートします。お気軽にご相談ください。

受託分析と微細加工(FIB加工)へのお問い合わせはこちら

関連記事

XRF-薄膜FP法による膜厚測定

背景 蛍光X線分析（XRF）による非破壊での膜厚測定法は広く知られていますが、分析対象試料と標準試料...

シュウ酸カルシウムの減圧TG-DTA測定

目的 減圧下でのシュウ酸カルシウム・水和物の熱分解の測定 手法 減圧TG-DTAによる 結果 測定圧...