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二方向からの半導体故障箇所分析

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二方向からの半導体故障箇所分析
目的

通常のTEM試料の作製方法では断面もしくは平面など一方向からのTEM観察しかできません。故障箇所が試料のどの位置にあるか不明確な場合には異なる二方向からの試料作製、TEM観察が有効です
FIB/TEM共用の試料ホルダーにより、平面観察試料の作製・TEM観察により不具合箇所を特定した後、断面観察用の試料を作製・TEM分析により故障箇所の詳細分析が可能です。
今回は平面方向、断面方向からの故障箇所分析事例を紹介します。

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