STEM/EDSによる半導体絶縁膜評価
| 目的 | 半導体のPoly-Siおよび絶縁膜の評価を行う |
|---|---|
| 手法 | 透過電子顕微鏡(STEM/EDS） |
| 手法の特徴 | ・半導体デバイスでの指定部位観察が可能 ・STEM-EDSにより高倍率観察・高分解能分析が可能 |
| 結果 | ・STEM観察によりPoly-Siおよび絶縁膜の形状に異常が無いことが確認できた ・EDS分析によりPoly-Si間の絶縁膜(Si酸化膜-Si窒化膜-Si酸化膜)の層構造も問題ないことが確認できた |
分析事例
STEMおよびEDSによる半導体絶縁膜の評価(断面観察と分析)
- FIBで半導体デバイスの指定部位での試料を作製できます
- STEMおよびEDSにより高倍率観察・高分解能分析が可能です
■半導体Poly-Si間の絶縁膜分析
STEM像
窒素の分布像
シリコンの分布像
酸素の分布像
■解析結果
- STEM観察によりPoly-Siおよび絶縁膜の形状に異常が無いことが確認できました
- EDS分析によりPoly-Si間の絶縁膜(Si酸化膜/Si窒化膜/Si酸化膜)の層構造も問題ないことが確認できました
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