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GaN半導体デバイス(LED)の断面解析

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GaN半導体デバイス(LED)の断面解析
背景

次世代パワー半導体と呼ばれるGaNやSiCは、従来使用されているSiよりも電気抵抗が低く高電圧・大電力にも耐える物性を有しており、特にGaNは高性能化の実現が期待されています。
GaNは幅広い用途に応用でき、量産化が進むと従来のSiで起きているパターン不良、異物、結晶欠陥の分析が必須となります。

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