GaN半導体デバイス(LED)の断面解析
| 背景 |
次世代パワー半導体と呼ばれるGaNやSiCは、従来使用されているSiよりも電気抵抗が低く高電圧・大電力にも耐える物性を有しており、特にGaNは高性能化の実現が期待されています。 |
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受託分析・微細加工(FIB加工)のご依頼について
技術課題に対して現象把握～原因推定をお客様と一緒に考え、科学的な視点で調査することにより、原因究明や対策立案をサポートします。お気軽にご相談ください。
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次世代パワー半導体と呼ばれるGaNやSiCは、従来使用されているSiよりも電気抵抗が低く高電圧・大電力にも耐える物性を有しており、特にGaNは高性能化の実現が期待されています。 |
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