赤外顕微鏡(FT-IR装置)によるシリコン膜厚測定

目的	シリコン薄膜の膜厚測定
手法	赤外顕微鏡によるピンポイントでの反射測定、および膜厚換算
結果	非破壊でシリコン薄膜の厚みを測定、断面観察結果と同等の結果を獲得

分析事例

赤外顕微鏡(FT-IR装置)によるシリコン膜厚測定

• 目的：シリコン薄膜の膜厚測定
• 手法：赤外顕微鏡によるピンポイントでの反射測定、および膜厚換算
• 結果：非破壊でシリコン薄膜の厚みを測定、断面観察結果と同等の結果を獲得

■原理

基板表面(上面)並びに裏面(下面)から反射して得られた2つの光線の干渉波ピーク間隔から薄膜の厚みを求めます。

 図1．薄膜試料の断面イメージ

■測定

赤外顕微鏡の反射測定により干渉波形を測定し、膜厚を算出しました。
また、断面SEM観察法により同サンプルのシリコン膜厚比較を行いました。

■まとめ

• 赤外顕微鏡の反射測定により、シリコン薄膜の膜厚をピンポイント(数十μm角)で非破壊測定することができました。
• 比較測定の断面SEM観察法の測定結果とも近い値を示しています。

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